英特爾公開“高K介質”：40年來最重要商業(yè)機密

　　11月17日消息，英特爾昨日在中國發(fā)布基于45納米制程的處理器產品，同時也公開了一個“40年來最重要”的商業(yè)秘密。

　　公布“高K介質”的秘密

　　簡單而言，45納米制程處理器的發(fā)布，對英特爾最具里程碑意義的事情，是它找到了一種新的材料制造處理器，解決舊的多晶硅材料無法解決的漏電問題，使得處理器的晶體管密度更高、功耗更低、性能更強大。正是因為英特爾找到了這種新的材料，摩爾定律的創(chuàng)始人戈登·摩爾稱之為“40年來晶體管設計領域的重大改進”。

　　然而，在今年初英特爾首次正式宣布使用這種“高K介質”生產45納米處理器的時候，無論是英特爾美國總部還是中國技術人員，都一致封口不透露任何關于這種“高K介質”到底是什么物質，并稱這是公司的高度商業(yè)機密。但是，在昨日45納米處理器的中國發(fā)布會上，“高K介質”成了英特爾表現自己技術領先的皇牌，同時也正式向外界透露，這種“高K介質”是一種基于金屬鉿的氧化物。

　　對于上述這種截然不同的態(tài)度轉變，英特爾南區(qū)總經理方粵生向網易科技表示，之所以在這個時候公開“高K介質”材料，因為這是半導體行業(yè)40年來最大的突破，很可能改變半導體行業(yè)的發(fā)展步伐?！凹夹g對于企業(yè)而言在未來的半導體行業(yè)至關重要”。盡管方粵生稱不清楚過去幾個月來，英特爾在“高K介質”等一系列新技術的保護上作了些什么具體的措施，但他表示，英特爾一直以來在技術專利保護方面都是做足功夫的。

　　事實上，也有英特爾內部人士向網易科技透露，如果競爭對手刻意獲取英特爾“高K介質”的秘密，完全可以買一個英特爾的產品拿回去做分析，“用原子放大鏡就能很快地分析出來”。英特爾使用“高K介質”的消息，最早可以追溯到2003年，那個時候英特爾就已經選定了這種新的材質，并計劃好45納米制造工藝的時間表。除了英特爾以外，德州儀器也在今年宣布計劃在其45納米制程中使用名為“氮氧化鉿硅（HfSiON）”的“高K介質”。

　　但即便英特爾公布了“高K介質”材料的秘密，但關于金屬柵極的兩種金屬材質，英特爾依舊把他視作商業(yè)秘密。

　　中國大連工廠不排除使用45納米制造工藝？

　　根據英特爾45納米處理器的量產計劃，目前位于美國的兩座制造工廠——俄勒岡州D1D與亞利桑那州Fab32都已經開始生產45納米制程的處理器，明年位于美國新墨西哥州的Fab11，以及位于以色列的Fab28兩家工廠也會切換至45納米制程。但是對于2010年開始投入使用的中國大連廠到時候是否也使用45納米制程，方粵生表示“目前還沒有規(guī)劃”。

　　根據較早前英特爾與大連政府簽訂的協議，大連廠目前的規(guī)劃是使用90納米制程的，最高可以達到65納米制程。但按照英特爾的制程升級步伐，到2009年就會推出使用32納米制程的處理器，到2011年更是達到22納米制程。有業(yè)內人士預測，只要能過美國政府在技術輸出上設置的關卡，大連廠有可能使用45納米制程，況且到了2010年，45納米制程早已經不是最先進的技術了。

　　對此，方粵生稱，英特爾是半導體行業(yè)內為數不多集設計與制造能力于一身的廠商，英特爾之所以堅持這樣的路線，是因為設計與制造密切相關，設計出很復雜、效率高的架構，但卻沒有能力制造出來也是白搭。英特爾設計與制造團隊緊密結合在一起，能夠保證“設計出來的就能夠造出來，英特爾不會把制造外包”。換而言之，英特爾會繼續(xù)加大自由工廠的建設，其中自然也包括中國大連工廠?！按筮B廠是否需要切換制程，需要到時候看實際的市場需求”，方粵生表示。